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- 3378
반도체 8대 공정 – 4. 식각공정(Etching)
- 작성일
- 2022.06.09
- 수정일
- 2022.10.19
- 작성자
- 반도체과
- 조회수
- 669
식각공정은 포토공정에서 웨이퍼 위에 그려진 회로 패턴을 만들기 위해 감광막(Photo Resistor)에보호되지 않는 부분을 실제로 깍아내는 조각(Patterning) 공정입니다. 판화에서 그림의 본을 뜬 뒤 조각도로 본을 따라서 고무판을 깍아내서 그림의 형상을 조각하는 과정과 비슷한 과정이라 생각하면 쉬울 것입니다.
실제로 웨이퍼의 표면에 액체 또는 기체의 부식액(Etchant)을 이용하여 감광막(Photo Resistor)으로 형성된 회로 패턴만 남겨놓고 나머지 불필요한 부분의 산화막을 깍아내는 것을 말합니다. 식각 공정에 사용하는 물질에 따라 습식과 건식 식각으로 구분됩니다.
(1) 습식 식각(Wet Etching) : 액체의 부식액(Etchant)을 이용하여 산화막과 화학반응을 일으켜 웨이퍼 표면의 산화막을 깍아내는 방법입니다. 따라서 식각 속도가 빠른 장점이 있으나 건식에 비해 정교한 식각은 어려운 단점이 있습니다.
(2) 건식 식각(Dry Etching) : 플라즈마(Plasma)에 의한 반응성 기체나 이온을 이용하여 웨이퍼 표면에 충돌하여 물리적, 화학적으로 웨이퍼 표면을 깍아내는 방법입니다. 습식에 비해 비용이 많이 들고 까다롭지만 미세하고 정교한 식각 패턴을 형성할 수 있습니다. 최근에는 반도체 회로의 고집적화가 요구되어 수 나노미터 정도의 미세한 회로선폭을 요구하는 경우가 많아지므로 건식식각이 확대되고 있는 추세이며, 식각에 플라즈마를 사용하기 때문에 플라즈마 식각이라고도 불립니다.
* 플라즈마 : 고체-액체-기체를 넘어선 물질의 제 4 상태로 많은 수의 자유전자, 이온, 중성의 원자 또는 분자로 구성된 이온화된 기체를 말합니다.
지금까지 반도체 8대 공정 중 네번째 식각공정에 대해서 알아보았습니다. 다음에는 실제 반도체가 전기적 특성을 갖도록 만드는 이온주입과 박막공정에 대해서 알아보도록 하겠습니다.
참고 : 삼성반도체이야기-[반도체8대 공정] 5탄, 반도체 회로패턴의 완성, 식각공정
Chapter 6. 반도체 8대 공정 (출처 .. : 네이버블로그 (naver.com)
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